Intel et Micron arrivent en tête dans la course à la plus grande capacité de stockage : 3 bits par cellule de mémoire Flash Nand, gravée en 25 nanomètres.
Intel et Micron Technology ont annoncé la livraison de mémoire flash NAND de 3 bits par cellule (3 bpc) gravée en 25 nanomètres (nm), ce qui en fait les puces NAND les plus petites du secteur et celles dotées de la plus forte capacité de stockage.
La mémoire flash sert principalement au stockage de données, de photos et autres contenus multimédias, pour leur capture et leur transmission entre appareils informatiques et numériques : appareils photos et caméscopes numériques, baladeurs multimédias et tous types d’ordinateurs individuels.
Ces nouvelles puces mémoire 3 bpc de 64 gigabits (Gbit) en 25 nm se caractérisent par une plus forte rentabilité ainsi que par une capacité de stockage renforcée, à destination des marchés des dispositifs USB, des cartes flash SD (Secure Digital) ainsi que de l’électronique grand public.
Tom Rampone, Vice-président d’Intel chargé du NAND Solutions Group, explique : « Avec le lancement en janvier de la plus petite matrice du marché gravée en 25 nm, rapidement suivi par le passage au 3 bits par cellule, toujours en 25 nm, nous continuons nos progrès et proposons à nos clients une série attractive de produits leaders. Nous prévoyons de mettre à profit le leadership en conception et en production d’IMFT pour proposer des produits à nos clients d’une rentabilité concurrentielle et de plus forte densité à partir des nouvelles puces NAND 25 nm TLC de 8 Go. »
La mise en production complète devrait intervenir d’ici à la fin de l’année.
Plus d’infos : Flash NAND Intel
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